앞에서 논의한 바와 같이 그리드 회로는 플레이트 회로와 단절되어 있지 않기 때문에 전류 I_i를 공급해 주어야 한다. 이 전류를
계산하기 위하여 I₁ 과 I₂를 구해보자. 위의 회로 (b)로부터 I₁ = V_iY_gk 이고 I₂ = V_gpY_gp = ( V_i + V_kp )Y_gp 이다. 
V_kp =  - V_pk = - AV_i 이므로 I_i = I₁ + I₂ = [ Y_gk + ( 1 - A )Y_gp ]V_i 가 된다.   따라서 입력 어드미턴스 Y_i는
       
이 된다. 이식으로 부터 입력 어드미턴스를 무시하기 위해서는 그리드와 캐소드간 캐패시턴스와 그리드와 플레이트간
캐패시턴스를 무시할수 있어야 함을 알수 있다.

입력 캐패시턴스 (밀러 효과)
플레이트 회로저항으로서 R_p를 가지는 3극관을 생각해 보자. 이경우 음성주파수 영역에서 증폭율은 A= - g_mR'_p로서 주어진다.
여기서 R'_p = r_p ∥R_p 이다. 따라서 Y_i = Y_gk + (1 - A)Y_gp = jω[C_gk + ( 1 + g_mR'_p )C_gp] 가 된다.  즉 입력 어드미턴스는 용량이
C_i = C_gk + ( 1 + g_mR'_p )C_gp 인 캐패시터의 어드미턴스와 같다. 이렇게 그리드와 캐소드간 캐패시턴스 C_gk에 비해 입력 캐패시턴스
C_i가 커지는 현상을 밀러효과(Miller effect)라고 부른다. C_i가 취할수 있는 최대치는 C_gk + ( 1 + μ )C_gp인데  μ가 큰경우 C_i값은 어떤
전극간 캐패시턴스 보다도 커지게 된다. 이 입력 캐패시턴스는 다단계 증폭기(Cascaded amplifier)의 동작시 중요한 의미를 가지
는데 다단계 증폭기의 경우 첫번째 진공관으로부터의 출력이 두번째 진공관의 입력으로 사용되게 된다. 따라서 두번째 단계의
입력 임피던스는 첫번째 단계의 출력에 병렬접속된것으로 해석해야 하므로 R_p가 C_i와 병렬 접속된것으로 해석하여야 한다.
캐패시터의 리액턴스는 주파수를 증가시킴에 따라 감소하기 때문에 첫번째 단계의 출력 임피던스는 높은 주파수에 대해 작아
지게 된다. 결과적으로 주파수가 높아짐에 따라 이득이 감소하게 된다. 

이득의 계산 예
플레이트 회로 저항으로서 100K를 가지고 20kHz에서 동작하는 3극관을 생각해 보자. 진공관이 하나인 경우 이득과 동일한
진공관으로 2단의 증폭기를 만든경우 첫번째 진공관의 이득을 계산해 보기로 하자. 3극관의 파라미터는 다음과 같다고 하자.
g_m = 1.6 millimho , r_p = 44 K , μ = 70 , C_gk = 3.0 pF , C_pk = 3.8 pF , C_gp = 2.8 pF

( 해 )
 Y_gk = jωC_gk = j2π ×2 × 10⁴ × 3.0 × 10^-12 = j3.76 × 10^-7 mho
 Y_pk = jωC_pk = j4.77 × 10^-7 mho
 Y_gp = jωC_gp = j3.52 × 10^-7 mho
  g_p = 1/r_p = 2.27 × 10^-5 mho
 Y_p = 1 / R_p = 10^-5 mho
  g_m = 1.60 × 10^-3 mho

 1단으로 구성된 진공관 회로의 경우 이득은 다음과 같이 구할수 있다.
  
위식에서 전극간 캐패시턴스에 의해 발생하는 허수부분의 값이 실수부분의 값보다 무시할수 있을정도로 작음에 주목하자.
만일 이들을 무시한다면 A= - 48.8 이 된다. 실제로 전극간 캐패시턴스를 무시했을때의 A에 관한 식을 이용하여 값을 구해보면
   
이 되어 두값이 비슷함을 알수 있다. 이득이 실수이기 때문에 입력 임피던스는 용량이 C_i = C_gk + ( 1 + g_mR'_p )C_gp
= 3.0+(1+48.8)(2.8) = 143 pF인 캐패시터로 이루어진다. 여기서 - g_mR'_p = A를 이용하였다.

이제 각단이 위에 언급한 파라미터 값을 가지고 동작하는 2단계 증폭기에 대해 생각해 보기로 하자.
두번째 단의 이득은 위에서 계산한 값과 동일하다. 그러나 첫번째 단의 이득을 계산할때는 두번째 단의 입력 임피던스가 첫번째
단의 출력과 병렬로 연결된다는 점에 주의를 하여야 한다. 따라서 플레이트에 걸리는 부하는 100 K 저항과 143 pF의 캐패시터가
병렬로 연결되어 있는것으로 생각하여야 한다. 더우기 플레이트 부하와 병렬로 연결되는 첫번째 단의 플레이트와 캐소드간
캐패시턴스와  회로선로에서 발생하는 누설용량도 고려해야 한다. 예를들어 두번째 단의 플레이트와 그리드를 연결하는 회로
선로에서 1pF 누설용량이 발생하였다면 첫번째 단의 부하저항에 50pF의 캐패시턴스가 추가되는 효과가 발생하게 된다. 따라서
고주파 증폭기의 경우 장치와 장치를 연결하는 선로의 길이를 될수 있는한 짧게 하는것이 필요하다는 결론을 얻을수 있다.
이제 이상의 모든점을 고려한 입력 캐패시턴스가 200pF 였다고 가정하면 부하 어드미턴스는 다음과 같이 계산된다.
     
            = 10^-5 + j2.52 × 10^-5  mho

따라서 이득은 다음과 같이 계산된다.
     
위 계산식으로 부터 캐패시턴스의 효과로 말미암아 증폭도의 크기가 48.8에서 38.8로 감소하고 출력과 입력사이의 위상각이
180도에서 143.3^o로 변화됨을 볼수있다. 만일 주파수가 더 높아지면 이득은 더욱 줄어들게 된다. 실제로 주파수가 수 메가 헤르츠
가 되면 이회로는 이득이 1보다 작아 지므로 증폭기로서 사용할수 없게 된다. 이렇게 주파수에 따라 이득이 변화하는것을
주파수 왜곡 (Frequency distortion)이라 부른다.

음의 입력저항 (Negative Input Resistance)
만일 증폭기의 플레이트 회로가 순수저항이 아니고 임피던스를 포함한다면 A는 복소수가 되고 입력 어드미턴스는 저항성분과
리액턴스 성분으로 이루어지게 된다. 즉 A = A₁ + jA₂ 로 표시된다면 Y_i = ωC_gpA₂ + jω[C_gk + ( 1 - A₁ )C_gp] 가 된다. 이식은 그리드
입력회로의 등가회로는 저항 R_i 와 캐패시턴스 C_i가 병렬로 연결된 형태를 취한다는 것을 말해주고 있다. 즉 Y_i = 1 / R_i + jωC_i 로
쓸수 있으며 이 경우 R_i = 1 / ωC_gpA₂      C_i = C_gk + ( 1 - A₁ )C_gp가 된다. 시스템에 어떠한 제한도 주어지지 않았기 때문에 A₂가
음의 값을 가질수 있으며 따라서 실효 입력저항도 음의 값을 가지게 된다. 실효 입력 저항이 음의 값을 가지는 것은 부하가
일정한 범위내의 인턱턴스 성분을 가질때만 가능하다는 점은 매우 흥미로운 사실이다.  한 회로내에 음의 저항이 존재한다는
것은 전력이 흡수되는것이 아니고 발생된다는 것을 의미한다.  물리적으로 볼때 이것은 전력이 그리드 - 플레이트간 캐패시턴스
에 의해 이루어지는 커플링을 통해 출력회로로 부터 그리드 회로로 궤환이 이루어짐을 의미한다. 만일 이 궤환현상이 극한치에
이르게 되면 시스템은 증폭기로서의 기능을 상실하고 오실레이터로서 동작하게 된다.