전자회로 코너

글수 33

번호		글쓴이	조회수	날짜
33	여러가지 BJT 트랜지스터 바이어싱 회로의 비교(4)	Tindrum	2130	2008-08-19
33	온도변화에 따른 BJT성능의 변화 IC를 계산하기 위한 식에 존재하는 3개의 파라미터 ICBO, hFE, V'BE가 모두 온도변화에 의존적이기 때문에 IC에 관한 식을 각각의 파라미터로 미분해보면 각 파라미터가 IC값의 변화에 미치...
32	여러가지 BJT 트랜지스터 바이어싱 회로의 비교 (3)	Tindrum	1870	2008-08-19
32	애질런트 HBFP-0405를 사용한 설계예 앞에서 언급한 각각의 바이어스 회로를 시험하기 위해 애질런트사의 HBFP-0405 트랜지스터를 사용하였다. HBFP-0405는 1800MHz부터 1900MHz까지의 응용분야에 사용할수 있는 저잡음 증폭기이다...
31	여러가지 BJT 트랜지스터 바이어싱 회로의 비교(2)	Tindrum	2203	2008-08-19
31	BJT 모델링 BJT는 다음 그림 2에서 볼수있는 바와같이 두개의 전류 전원(Current Source)으로서 모델화된다. 첫번째 전류 전원은 hFEIB이며, 이와 병렬로 역으로 바이어스된 PN졍션을 통과하여 흐르는 누설전류를 나타내는 두번...
30	여러가지 BJT 트랜지스터 바이어싱 회로의 비교 (1)	Tindrum	3319	2008-08-18
30	바이폴라 정션 트랜지스터 BJT (Bipolar Junction Transistor)는 저렴하다는 이유로 셀룰러나 PCS, 페이져 회로에서 저잡음 증폭기로서 자주 사용된다. 최소한의 외부 정합회로를 사용하므로서 BJT는 MMIC보다 훨씬 나은 RF성능...
29	고주파에서의 캐소드 폴로워	Tindrum	5086	2008-08-12
29	앞에서 언급했던 캐소드 폴로워의 경우 진공관의 캐패시턴스를 무시한채 언급한 것이었다. 이제 이들 캐패시턴스를 고려하여 논의를 다시 해보기로 하자. 전압 이득 3극관의 내부 캐패시턴스를 고려하여 그린 그림이 아래 (a) 이며...
28	다극관에서의 전극간 캐패시턴스	Tindrum	1405	2008-08-12
28	4극관을 이용한 기본적인 회로와 전극간 캐패시턴스를 고려한 등가회로를 다음 그림에서 볼수있다. 위의 그림에서 3극관과 마찬가지로 G는 그리드, K는 캐소드, P는 플레이트를 의미하며 S는 4극관에만 존재하는 스크린 그리드 이...
27	3극관의 입력 어드미턴스	Tindrum	1664	2008-08-11
27	앞에서 논의한 바와 같이 그리드 회로는 플레이트 회로와 단절되어 있지 않기 때문에 전류 Ii를 공급해 주어야 한다. 이 전류를 계산하기 위하여 I1 과 I2를 구해보자. 위의 회로 (b)로부터 I1 = ViYgk 이고 I2 = VgpY...
26	3극관에서 전극사이의 캐패시턴스에 관하여	Tindrum	2531	2008-08-11
26	지금까지 논의되었던 내용들은 음의 바이어스를 3극관에 걸었을때 입력전류는 무시할수 있을 정도로 작고, 플레이트 회로의 변화 가 그리드 회로에 영향을 주지 않는다는 가정하에 행해진 것이었다. 하지만 이러한 가정은 어떤 경...
25	캐스코드 증폭기에서의 동작전류 계산 예	Tindrum	1876	2008-08-06
25	R=20K옴 , VPP = 300V , V ' = 125V, VGG = 4V인 아래 회로에서 동작전류 (Quiescent current)를 구해보기로 하자. 사용된 3극관은 6CG7이며 플레이트 특성곡선이 다음과 같이 주어졌다고 하자. 만일 V2가 그리드 전류...
24	캐스코드(Cascode) 증폭기	Tindrum	2345	2008-08-06
24	두개의 3극관을 직렬로 연결시킨 회로를 다음 그림에서 볼수 있다. 이 회로가 하나의 5극관 처럼 동작한다는 것을 증명해 보기로 하자. V1에 대한 부하는 V2의 캐소드에서 들여다본 실효 임피던스 Rp ≡ ( R + rp ) / ( ...

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