BJT 모델링
BJT는 다음 그림 2에서 볼수있는 바와같이 두개의 전류 전원(Current Source)으로서 모델화된다.
       
첫번째 전류 전원은 h_FEI_B이며, 이와 병렬로 역으로 바이어스된 PN졍션을 통과하여 흐르는 누설전류를 나타내는 두번째
전류전원 I_CBO (1 + h_FE)가 연결되는 형태이다. I_CBO값은 애질런트사의 HBFP-0405 트랜지스터의 경우 섭씨 25도에서 1 × 10^-7 A
정도이다. V'_BE는 트랜지스터의 등가 하이브리드 PI 입력임피던스로서 h_ie를 가지는 내부 베이스-에미터간 전압이다. h_ie는
h_FE / λI_C와 동일한데 섭씨 25도에서 λ는 40이다. V_BE는 트랜지스터의 베이스와 에미터 리드선간에 측정한 전압으로서
V'_BE + I_Bh_ie와 동일하다. HBFP-0405 트랜지스터의 경우 V_BE값은 섭씨 25도에서 약 0.78볼트이다. 온도가 변화하면 가장 변화가
큰 파라미터들은 h_FE, V'_BE, I_CBO이다. 이들 온도에 민감한 파라미터들은 제조공정에 매우 의존적이다. h_FE는 통상 온도가 1도
변화하면 0.5퍼센트 그값이 변화한다. 또한 V'_BE는 온도가 1도 증가하면 2mV 감소하는 특성이 있다. I_CBO는 온도가 10도 올라
갈때마다 2배가 된다. 이들 각각의 파라미터들은 온도가 변화함에 따른 콜렉터 전류의 변화에 총합해서 영향을 미친다. 그림1에
보인 각각의 바이어스 회로에 대해 여러 바이어스 저항값을 구하기 위한 식을 그림 3,4,5,6,7에 게시하였다. 
      

        
         
          
각각의 바이어스 저항값은 요구되는 I_C값, V_CE값, 공급전원전압 V_CC와 h_FE와 같은 설계 파라미터들의 항으로서 표시하였다.
저항값을 계산하기 위해 I_CBO와 h_ie는 그값이 0이라고 가정하였다. R_B1과 R_B2로 구성되는 전압 분배기를 사용하는 3개의 회로
에 대해서는 추가적인 정보가 필요하다. 전류전원을 가지고 전압궤환을 사용하는 바이어스 회로 (회로 #3)의 경우에는 저항 R_B2
에 걸리는 전압 V_RB2와 저항 R_B2를 통과하여 흐르는 바이어스 전류 I_RB2를 설계자가 선택하여야 한다. 만일  V_CE > V_RB2 > V_BE
이 성립한다면 적절한 V_RB2의 값은 1.5볼트이고, 적절한 I_RB2의 값은 I_C의 10% 인 0.5mA가 된다. 회로 #4와 회로 #5의 경우
에도 설계자가 I_RB2값을 선택해야 한다. I_C와 I_RB2값의 비율이 바이어스 안정성에 큰 역할을 한다. 또한 바이어스 저항값과
h_FE, I_CBO, V'_BE와 같은 파라미터의 항으로 콜렉터 전류 I_C를 계산하는 식을 제시하였다.  이곳에 제시된 I_C에 관한 식은 간단
하지만 회로가 복잡해지면 복잡한 형태를 가지게 된다. 이경우 식을 계산해 내기 위해 Mathcad와 같은 프로그램을 이용하는것이
편리하다.